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功率半導體

寬禁帶半導體材料研究

寬禁帶半導體材料研究

寬禁帶半導體材料研究

霍爾效應測量可有效地用于檢定幾乎所有的半導體生產(chǎn)材料如硅(Si)和鍺(Ge)以及大多數(shù)的化合物半導體材料包括鍺化硅(SiGe)碳化硅(SiC)砷化鎵(GaAs)...

霍爾效應測量可有效地用于檢定幾乎所有的半導體生產(chǎn)材料如硅(Si)和鍺(G...

霍爾效應測量可有效地用于檢定幾乎所有的半導體生產(chǎn)材料如硅(Si)和鍺(G...

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檢定寬禁帶設(shè)備

檢定寬禁帶設(shè)備

檢定寬禁帶設(shè)備

表征SiC或GaN晶圓和封裝部件級器件的電氣性能需要學習新技術(shù)，例如使用更高功率的儀器，處理探測和進行低電平測量的挑戰(zhàn)，例如在高擊穿電壓存在下的皮安級泄漏電流

表征SiC或GaN晶圓和封裝部件級器件的電氣性能需要學習新技術(shù)，例如使用...

表征SiC或GaN晶圓和封裝部件級器件的電氣性能需要學習新技術(shù)，例如使用...

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雙脈沖測試

雙脈沖測試

雙脈沖測試

使用的儀器是一個電源或SMU提供電壓，一個任意函數(shù)發(fā)生器(AFG)輸出脈沖，觸發(fā)MOSFET的柵極，使其打開以啟動電流傳導，以及一個示波器測量產(chǎn)生的波形

使用的儀器是一個電源或SMU提供電壓，一個任意函數(shù)發(fā)生器(AFG)輸出脈...

使用的儀器是一個電源或SMU提供電壓，一個任意函數(shù)發(fā)生器(AFG)輸出脈...

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驗證寬禁帶設(shè)備

驗證寬禁帶設(shè)備

驗證寬禁帶設(shè)備

這些問題可以使用泰克的IsoVu隔離探頭輕松解決，該探頭在GaN和SiC器件的工作要求下不會隨頻率降低，從而可以進行準確的差分測量

這些問題可以使用泰克的IsoVu隔離探頭輕松解決，該探頭在GaN和SiC...

這些問題可以使用泰克的IsoVu隔離探頭輕松解決，該探頭在GaN和SiC...

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SP26系列半導體參數(shù)分析儀

SP26系列半導體參數(shù)分析儀

SP26系列半導體參數(shù)分析儀

參數(shù)波形記錄提供功率同步電流電壓曲線測試IV曲線測試電容電壓曲線測試CV曲線測試和功率脈沖IV曲線測量

參數(shù)波形記錄提供功率同步電流電壓曲線測試IV曲線測試電容電壓曲線測試CV...

參數(shù)波形記錄提供功率同步電流電壓曲線測試IV曲線測試電容電壓曲線測試CV...

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基于高精度SMU的綜合 IV/CV性能測試系統(tǒng)

基于高精度SMU的綜合 IV/CV性能測試系統(tǒng)

基于高精度SMU的綜合 IV/CV性能測試系統(tǒng)

基于高精度SMU的綜合IV性能測試系統(tǒng)，內(nèi)部包含高性能的雙用到KEITHLEY數(shù)字源表和電源，外部配置計算機，以及探針臺和熱成像儀等組成?？梢葬槍Ω鞣N形式材料...

基于高精度SMU的綜合IV性能測試系統(tǒng)，內(nèi)部包含高性能的雙用到KEITH...

基于高精度SMU的綜合IV性能測試系統(tǒng)，內(nèi)部包含高性能的雙用到KEITH...

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